精新電源提供國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的多種規(guī)格的磁控濺射電源，包括中頻磁控濺射電源、非對(duì)稱脈沖磁控濺射電源等，可廣泛適用于各類離子鍍膜PVD工藝。

在最佳等離子體工作區(qū)域內(nèi)，精新磁控濺射電源的載荷能力（荷靶數(shù)量）是國(guó)內(nèi)同功率電源的3倍，國(guó)外同功率電源的1.5倍?？?span id="lrlfnbr" class="emp">同時(shí)驅(qū)動(dòng)三個(gè)單極磁控靶或者三對(duì)孿生磁控靶。

同時(shí)，精新磁控濺射電源擁有同行業(yè)首創(chuàng)的微分弧檢測(cè)，本質(zhì)弧抑制和四象限弧能量釋放管理技術(shù)，確保工件在沉積過程中免遭弧損傷。

精新電源有著十多年粒子加速器電源研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，多次成為多項(xiàng)國(guó)家大科學(xué)工程電源供應(yīng)商。

曾參與的國(guó)家大科學(xué)工程項(xiàng)目包括正負(fù)電子對(duì)撞機(jī)（中科院高能物理研究所）、全國(guó)唯一一臺(tái)重離子加速器（中科院近代物理研究所）、第三代同步光源（中科院上海應(yīng)用物理研究所）等。

精新加速器電源穩(wěn)定度可達(dá)99.999%（10的-5次方），國(guó)際領(lǐng)先。

偏壓電源在真空離子鍍膜工藝中對(duì)膜層質(zhì)量起著至關(guān)重要的作用，偏壓可顯著提升沉積速率、提升膜層與工件的結(jié)合力、增加膜層致密性。

精新偏壓電源可運(yùn)行于等離子清洗、刻蝕和偏壓三種不同的功能模式，適用于等離子體薄膜沉積工藝中的不同流程。

同時(shí)，精新偏壓電源擁有同行業(yè)首創(chuàng)的微分弧檢測(cè)，本質(zhì)弧抑制和四象限弧能量釋放管理技術(shù)，確保工件在沉積過程中免遭弧損傷。

離子注入是現(xiàn)代半導(dǎo)體制備與微電子工藝中不可或缺的重要步驟。離子注入電源的好壞直接決定了最終成品的質(zhì)量。

精新電源依托十多年在國(guó)家大科學(xué)工程粒子加速器中積累的經(jīng)驗(yàn)，沉淀出了數(shù)款不同規(guī)格的離子注入電源供工業(yè)級(jí)用戶選用，可完美適配市面上廣大的離子注入設(shè)備。

長(zhǎng)久以來在PVD工藝中，因?yàn)闊o法對(duì)腔體內(nèi)的磁場(chǎng)進(jìn)行動(dòng)態(tài)控制，導(dǎo)致靶材的利用率比較低，鍍出的膜層也不夠均勻。

精新電源擁有國(guó)內(nèi)首創(chuàng)的磁場(chǎng)控制電源，包括三角波電源、磁場(chǎng)掃描電源等，可以靈活動(dòng)態(tài)的在工藝過程中調(diào)整腔體內(nèi)的磁場(chǎng)，解決PVD工藝流程中遇到的各類磁場(chǎng)相關(guān)的問題。

多弧離子鍍是現(xiàn)代PVD工藝中最為成熟的工藝之一。

精新電源出產(chǎn)的等離子弧電源在傳統(tǒng)的弧電源基礎(chǔ)上，通過獨(dú)創(chuàng)的延面擊穿方式引弧，克服了傳統(tǒng)蒸發(fā)鍍工藝中需要使用鎢絲等材料引弧而對(duì)膜層造成污染等問題。

精新多弧離子鍍電源擁有同行業(yè)領(lǐng)先的電源效率，最高電源效率可達(dá)92.6%，大幅減少工藝的能源消耗成本。

離子束電源適用于各類特種金屬蒸發(fā)鍍工藝。其可以使特種金屬材料快速升溫，使其面狀蒸發(fā)，制備出的膜層潔凈均勻。

精新離子束電源提供多種波形與寬廣的功率域供用戶選擇，可適應(yīng)多種不同的工藝與需求。